深圳市福英达工业技术有限公司
深圳市福英达工业技术有限公司

IGBT热传导与焊料空洞的关系-深圳福英达

2023-02-25

深圳市福英达

IGBT热传导与焊料空洞的关系


IGBT作为一种常用于高温应用环境(汽车,铁路轨道,航空航天deng)的电子元件,需要经受得住长期高温老化的影响。锡膏是用于焊接IGBT的材料,同时也是IGBT模块多层结构中最脆弱的部分之一,其焊后的连接性能直接影响芯片温度和器件性能。焊料在回流时形成气泡和老化后金属间化合物生长都会使得焊点出现空洞。空洞的出现会影响热传导并影响IGBT芯片的温度分布。


洞对热传导的影响

为了了解空洞对IGBT的热传导的影响,Fan等人将IGBT芯片和二极管芯片封装到了一起,并测试不同空洞区域的温度。从图1可以看到, IGBT和二极管焊点之间出现空洞,会导致中心外壳温度分布出现明显的变化。

 

空洞对IGBT和二极管外壳温度分布的影响

图1. 空洞对IGBT和二极管外壳温度分布的影响。

 

空洞的分布位置会对芯片温度产生影响。可以发现在处于边缘的基底焊料空洞对芯片结温的影响几乎可以忽视(区域a和c),但靠近IGBT和二极管的空洞(区域b和d)会显著影响结温。区域b和d处的空洞使得IGBT和二极管的结温分别增长了接近6°C。由此可知,在相同的空洞尺寸下,当空洞出现在芯片中心处,则芯片处结温会明显增加。此外,空洞会阻碍垂直热流,导致壳体温度降低。


IGBT和二极管结温分布。
IGBT和二极管结温分布。

图2. IGBT和二极管结温分布。



空洞影响热传导的机理

空洞的出现增加了热扩散角度,使得热阻增大并减慢了热传导。当芯片下方出现了空洞,热扩散角增加,使得传热面积增大,并减小空洞下方的热阻。空洞对自热扩散和互耦都有影响。如果二极管的芯片面积比IGBT小,则二极管与IGBT的耦合热阻比IGBT与二极管的耦合热阻更容易受到空洞影响。此外,焊料空洞对芯片结温和外壳温度的影响是不断累积的,如果外壳温度在多个点处变化,则耦合温度更易升高,这将更容易导致IGBT模块故障。

热扩散角和空洞的关系

图3. 热扩散角和空洞的关系。



低空洞焊料

深圳市福英达能够生产可靠性高的超微锡膏产品(T6及以上)。福英达锡膏可用于IGBT等众多电子元件的焊接,焊后空洞率低,机械强度高,且能够提供稳定的电热传导。欢迎客户与我们了解更多信息。

福英达印刷型锡膏福英达点胶型锡膏


参考文献

Fan, Y.H., Cui, H.Y., Lou, Z.B., Teng, J.J., Tang, Z. & Peng, J.Z. (2020). Base solder voids identification of IGBT modules using case temperature. Microelectronics Reliability, vol.115.





返回列表

热门文章:

超薄3D-IC封装在制造过程和温度循环测试耦合负载影响下的可靠性评估-深圳市福英达

为应对物联网和智能制造,基于摩尔定律的半导体芯片结构设计涉及相关电子元器件尺寸的缩小。因此,晶体管的密度逐渐增加。为实现上述封装要求,解决传统封装框架的瓶颈,现有研究以堆叠方向的三维互连为主流技术。关键技术是硅通孔 (TSV) 和焊料微凸块 (μbump) 的互连,这通常是失效位置方面的关注领域。

2023-02-22

ENIG镀金层对SAC305锡膏焊接的影响-深圳市福英达

对于ENIG来说,Au层不仅保护焊盘不受氧化,同时也保护Ni层不受氧化。然而,由于原子半径差(RNi=1.25Å和RAu=1.44Å)的原因,使得Ni原子在受热时有机会沿着原子间隙扩散到Au层的表面。一旦热处理暴露在空气中,扩散到Au表面的Ni会氧化成Ni(OH)2和NiO。

2023-02-18

助焊剂类型对锡膏焊接过程中飞溅的影响-福英达焊锡膏

随着电子元器件封装尺寸的减小,元器件端子数量的增加,以及铅基焊料合金的限制,在焊接过程容易出现一系列工艺问题,这些工艺问题也与焊锡助焊剂的使用有关。助焊剂的不良副作用可能以焊剂飞溅的形式出现,进而影响焊点的稳定性和可靠性。

2023-02-16

层叠封装PoP_锡膏移印工艺应用-福英达焊锡膏

层叠封装pop就是一种解决移动设备芯片封装难题的有效方案。PoP是将两个或多个封装体进行上下叠加制成,本质上属于三维叠加技术。PoP层与层之间的焊接和底层与PCB的焊接都通过BGA焊料球完成。焊料球能够实现层与层之间的电通路和热通路。用于PoP的封装体有很多,底层封装可以是处理器(processor),在处理器之上的上层封装可以是内存(memory)。

2023-02-10